Wir bieten eine der größten und umfangreichsten Produktlinien an Sputter Targets. Alle gängigen Geometrien (und Größen) sind erhältlich.
Sputter Targets werden als Ausgangsmaterial für die unterschiedlichsten Beschichtungsverfahren, wie z. B. PVD-, Laser- oder Ionenstrahltechnik benötigt.
EVOCHEM fertigt nach Kundenwunsch hochwertige Sputter Targets aus allen geeigneten Materialen und Materialkombinationen, wahlweise gebondet (Indium und Nano) auf speziell konstruierte Kühlkörper aus Kupfer, Edelstahl oder Molybdän. Die Materialparameter unserer Targets stimmen wir optimal ab auf die Erfordernisse Ihrer Dünnschicht-Anwendung.
Bitte wenden Sie sich an uns, wenn Sie weitere Fragen haben.
Der jeweilige Fertigungsprozess wird bestimmt durch die Eigenschaften des Ausgangsmaterials und von der gewünschten Endanwendung des Sputter Targets. Dabei finden klassiches Pressverfahren, Vakuumschmelzen und Sintern ihre Anwendung.
Sputter Targets aus keramischen Materialien oder aus schmelztechnisch nicht herstellbaren Zusammensetzungen können pulvermetallurgisch durch Pressen von Pulvern oder Pulvermischungen und nachfolgendem Sintern oder durch Heißpressen hergestellt werden. Dabei können die Homogenität, Zusammensetzung und die Reinheit des Sputtertargets individuell eingestellt werden.
Unsere Sputter Targets sind in einer Vielzahl von Zusammensetzungen und in verschiedenen Reinheitsstufen erhältlich. Alle Sputter Targets werden in allen Produktionsstadien auf Zusammensetzung, Reinheit, Dichte und abschließend auf Form und Abmessungen geprüft. Durch den Einsatz von von verschiedensten Herstellungsverfahren (z.B. pulvermetallurgisch oder schmelzmetallurgisch), die jeweils dem neuesten Stand der Technik entsprechen, können wir die höchsten Qualitätsstandards erfüllen. Jede Produktionscharge durchläuft verschiedene Analyseprozesse, die u.a. auch von unabhängigen Laboren überwacht werden.
Je nach Anlage oder Material muss Ihr Sputtertarget gebondet werden. EVOCHEM setzt sowohl metallisches als auch Nano Bond ein. Beide Verfahren ermöglichen eine sichere und feste, elektrisch und thermisch sehr gut leitende Verbindung zwischen Target und Kühlkörper. Gerne bonden wir auch Ihre Sputter Targets auch auf bereitgestellte Rückplatten.
Indium ist die bevorzugte Methode für das Bonding von Sputtertargets, da es die beste Wärmeleitfähigkeit aller verfügbaren Bondverfahren besitzt und am effizientesten Wärme vom Sputter Target. Hinzu kommt, dass das weichere Indium Lot dem Sputter Target die Möglichkeit gibt, sich minimal auf der Rückplatte zu bewegen, wenn sich das Target mit einer anderen Geschwindigkeit als die Trägerplatte ausdehnt. Dies reduziert Risse, die durch Fehlanpassungen der thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Target und Trägerplatte verursacht werden. Die wesentliche Limitation eines Indiumbonding ist die Schmelztemperatur des Indium-Lotes.
Das Nano Bonding ermöglicht das Verbinden von Werkstoffen, mit stark unterschiedlichen Wärmeausdehnungskoeffizienten. Das sorgt für eine hohe Wärmebeständigkeit der Verbindung.
Das Bonden des Sputtertargets erfolgt mittels einer reaktiven Folie bei Raumtemperatur. Durch dieses Bonding lassen sich Materialien mit stark unterschiedlichen Ausdehnungskoeffizienten spannungsarm zusammenfügen. Dies reduziert Risse, die durch Fehlanpassungen der thermischen Ausdehnungskoeffizienten von Target und Trägerplatte verursacht werden.
Als weiteren Service bieten wir Ihnen die Fertigung von individuellen Rückplatten aus Kupfer, Edelstahl oder Molybdän an.
Das Magnetron-Sputtern ist ein Verfahren zur Herstellung sehr dünner Materialschichten durch Aufdampfen in einer Vakuumkammer. Das Sputtern, auch Kathodenzerstäubung genannt, ist ein physikalischer Vorgang, bei dem Atome aus einem Festkörper (genannt: Target) durch Beschuss mit energiereichen Ionen herausgelöst werden und in die Gasphase übergehen. Es dient zum Zerstäuben eines Materials, das sich anschließend auf einem Substrat niederschlägt und eine feste Schicht bildet. Das Sputter Verfahren wird auch als PVD-Verfahren bezeichnet (Physical Vapor Deposition, auf Deutsch etwa: physikalische Dampfphasenabscheidung). Der Beschichtungsprozess im Vakuum ermöglicht eine hohe Gleichmäßigkeit und Reinheit der Schicht. Die Beschichtungsquelle erzeugt ein Niederdruckplasma aus einem Edelgas (typischerweise Argon). Als Ausgangsmaterial für die Schicht dient das Target (Sputter Target), das sich in der Sputterquelle befindet.
Beim Magnetron-Sputtern erzeugt man die notwendigen Ionen durch eine Gasentladung, die direkt vor dem Sputter Target brennt. Diese kann z.B. durch Anlegen einer elektrischen Gleichspannung bzw. durch eine Wechselspannung angeregt werden (DC-Sputtern bzw. RF-Sputtern). Im Fall der Gleichspannungsanregung besteht das Target aus einer Scheibe hochreinen Metalls, beispielsweise Titan. Beim RF-Sputtern können aber auch dielektrische Sputter Targets wie z.B. Titanoxid verwendet werden. Wird der Gasentladung ein reaktives Gas wie z.B. Sauerstoff hinzugefügt, führt dies zur Bildung von chemischen Reaktionsprodukten wie z.B. Oxiden.
Besuchen Sie uns auf der LASER World of PHOTONICS in München – vom 24. bis 27. Juni 2025.
